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普樂斯收集晶圓代工產(chǎn)能市場(chǎng)排名和現(xiàn)狀情報(bào)!

返回列表 來源:普樂斯 瀏覽: 發(fā)布日期:2021-05-11 09:55【
文章導(dǎo)讀:市場(chǎng)對(duì)晶圓代工產(chǎn)能的需求從未像當(dāng)下這么強(qiáng)烈,從成熟制程到先進(jìn)制程,幾乎全線處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。在這種情況下,能夠通吃成熟和先進(jìn)制程的晶圓代工廠就可以在市場(chǎng)上處于優(yōu)勢(shì)地位,誰(shuí)覆蓋的面更廣,誰(shuí)就能在競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)上風(fēng)。從排名來看,也基本體現(xiàn)出了這樣的局面,特別是全球排名前五的晶圓代工廠,分別是臺(tái)積電、三星、聯(lián)電、格芯、中芯國(guó)際。
      市場(chǎng)對(duì)晶圓代工產(chǎn)能的需求從未像當(dāng)下這么強(qiáng)烈,從成熟制程到先進(jìn)制程,幾乎全線處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。在這種情況下,能夠通吃成熟和先進(jìn)制程的晶圓代工廠就可以在市場(chǎng)上處于優(yōu)勢(shì)地位,誰(shuí)覆蓋的面更廣,誰(shuí)就能在競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)上風(fēng)。從排名來看,也基本體現(xiàn)出了這樣的局面,特別是全球排名前五的晶圓代工廠,分別是臺(tái)積電、三星、聯(lián)電、格芯、中芯國(guó)際。普樂斯電子關(guān)注晶圓市場(chǎng)的發(fā)展動(dòng)態(tài)!
 
普樂斯
 
      這幾家都有成熟制程和先進(jìn)制程產(chǎn)線,但所占比例各不相同,其中,臺(tái)積電的先進(jìn)制程最強(qiáng),所占比重最高,三星緊隨其后,這是它們排名前二的重要原因;聯(lián)電和格芯都以成熟制程為主,有一部分先進(jìn)制程;中芯國(guó)際則以成熟制程為主,先進(jìn)制程總體處于生長(zhǎng)、起步階段。
 
     以節(jié)點(diǎn)來看,成熟制程和先進(jìn)制程很難有明確的劃分,本文則以28nm為分界線,小于28nm的節(jié)點(diǎn)為先進(jìn)制程,反之則為成熟制程,另外,每家公司都有各自的特殊制程,相應(yīng)的節(jié)點(diǎn)會(huì)分布在28nm左右兩側(cè)。下面就看一下全球晶圓代工5強(qiáng)近一年內(nèi)在成熟和先進(jìn)制程方面的發(fā)展和表現(xiàn)。
 
      1.臺(tái)積電
 
      提到臺(tái)積電,先進(jìn)制程已經(jīng)成為了該公司的名片,特別是7nm、5nm和3nm。
 
      7nm方面,臺(tái)積電已經(jīng)在這個(gè)節(jié)點(diǎn)上獲得了超過200個(gè)NTO,且大多投入量產(chǎn)。臺(tái)積電已經(jīng)生產(chǎn)了超過10億顆7nm芯片。在7nm時(shí)代,臺(tái)積電還率先推出了使用EUV技術(shù)的7nm+工藝。在7nm基礎(chǔ)上,該公司推出了6nm工藝,這個(gè)平臺(tái)的一個(gè)主要特點(diǎn)是與7nm工藝平臺(tái)兼容,這樣,客戶很容易把7nm的設(shè)計(jì)移植到6nm,臺(tái)積電還基于N5平臺(tái)推出了N4工藝,其速度、功耗和密度都有了改善。
 
      2.三星
 
      在先進(jìn)制程方面,三星是唯一能沖擊臺(tái)積電的晶圓代工廠。繼7nm之后,三星正在5nm制程方面向臺(tái)積電發(fā)動(dòng)著攻擊。三星的5nm制程于2020年第三季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),稍晚于臺(tái)積電,但相差不多。三星的5LPE(5nm低功耗早期)制造技術(shù)是該公司7LPP(7nm低功耗性能)制造工藝的改進(jìn),該工藝已經(jīng)使用了兩年。
 
 
      3.聯(lián)電
 
       2020年,聯(lián)電在先進(jìn)制程平臺(tái)推出14nm 14FFC制程、22nm超低功耗22ULP及超低漏電流22ULL制程、28nm高效能運(yùn)算28HPC+制程等均已進(jìn)入量產(chǎn),并采用28HPC+制程量產(chǎn)圖像信號(hào)處理器(ISP),且今年導(dǎo)入更先進(jìn)產(chǎn)品。聯(lián)電還針對(duì)毫米波(mmWave)制程完成了55nm/40nm/28nm平臺(tái),可應(yīng)用于移動(dòng)裝置、物聯(lián)網(wǎng)、5G通訊、車用電子及工業(yè)雷達(dá)。
 
       在特殊制程方面,聯(lián)電28nm高壓制程在晶圓代工業(yè)界是第一個(gè)開發(fā)并量產(chǎn)OLED面板驅(qū)動(dòng)IC的廠商,22nm高壓22eHV制程研發(fā)進(jìn)度符合預(yù)期。RFSOI技術(shù)可滿足所有4G/5G手機(jī)對(duì)射頻開關(guān)的嚴(yán)格要求,目前90nm制程已進(jìn)入量產(chǎn),55nm制程即將導(dǎo)入量產(chǎn),同時(shí)已著手開發(fā)40nm RFSOI技術(shù)平臺(tái),以滿足后續(xù)5G和mmWave市場(chǎng)增長(zhǎng)需求。
 
      4.格芯
 
      格芯主攻成熟制程,其在先進(jìn)制程方面涉獵已經(jīng)很少,最先進(jìn)的是12nm工藝。2020年,該公司宣布其最先進(jìn)的FinFET制程工藝12LP+大功告成。按照格芯的說法,12LP+相較于12LP,性能增加了20%、規(guī)模面積減少了10%。
 
      目前,12LP+已經(jīng)在AI訓(xùn)練芯片領(lǐng)域通過了IP驗(yàn)證,可減少生產(chǎn)成本、創(chuàng)造更大價(jià)值。另外,格芯也在豐富12LP+的IP組合包,目標(biāo)包括PCIe 3/4/5、USB 2/3主控芯片、HBM2/2e顯存、DDR/LPDDR4/4X芯片、GDDR6芯片等。
在成熟制程方面,格芯主要涉及28nm/22nm、40nm/45nm、55nm/65nm、90nm、130nm工藝。
 
      5.中芯國(guó)際
 
      受國(guó)際形勢(shì)影響,中芯國(guó)際先進(jìn)制程研發(fā)進(jìn)展受阻,預(yù)計(jì)14nm以下節(jié)點(diǎn)制程帶來的營(yíng)收將有所下降。然而,由于市場(chǎng)對(duì)40nm及以上成熟制程的需求仍然維持在較高水平,2020年,中芯國(guó)際憑借在成熟制程方面的優(yōu)勢(shì)取得了17%的營(yíng)收年增長(zhǎng)率及5%的市場(chǎng)占有率。中芯國(guó)際全年14nm/28nm營(yíng)收占比為9.3%,40nm/45nm營(yíng)收占比為16%,55nm/65nm營(yíng)收占比為30%,合計(jì)占比超過總營(yíng)收的一半以上。
 
       在當(dāng)今的產(chǎn)業(yè)環(huán)境下,晶圓代工的地位愈加突出,而在成熟和先進(jìn)制程方面具備多線能力的廠商,其市場(chǎng)接受度會(huì)更高,營(yíng)收能力更強(qiáng)。越全面,越能實(shí)現(xiàn)通吃。
 
       普樂斯關(guān)注半導(dǎo)體行業(yè)動(dòng)態(tài),市場(chǎng)的發(fā)展和我們的發(fā)展息息相關(guān),普樂斯將一直保持初心,做好等離子體設(shè)備的同時(shí)努力研發(fā)出新產(chǎn)品,為更多的行業(yè)提供等離子體清洗技術(shù)。
 
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